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  SiC MOSFET與Si IGBT對(duì)比：SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì) 2023-12-14 09:45:07

  隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能家電等行業(yè)的發(fā)展，對(duì)提高這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長(zhǎng)。本文探討了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定義了歷來使用硅IGBT(Si IGBT)進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的能力。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。

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  Q-Tech高可靠性空間 TCXO 2021-06-29 17:04:33

  Q-Tech?高可靠性空間 TCXO是一種對(duì)晶體振蕩器的晶體頻率和溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償以滿足寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性要求的晶體振蕩器，一般的模擬溫度補(bǔ)償晶體振蕩器采用熱補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，補(bǔ)償后的頻率穩(wěn)定性在10-7≤10-6量級(jí)。由于其良好的啟動(dòng)特性、優(yōu)越的性價(jià)比、低功耗、體積小、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。