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Linear Systems 2N4351 N通道增強(qiáng)型MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2025-03-31 09:11:10     瀏覽:1103

Linear Systems 2N4351 N通道增強(qiáng)型MOSFET

  產(chǎn)品名稱

  2N4351 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET

  訂購型號(hào):

  2N4351 TO-72 4L RoHS

  2N4352 TO-72 4L RoHS

  2N4351 Die

  2N4352 Die

  產(chǎn)品特點(diǎn)

  直接替代 Intersil 2N4351:兼容 Intersil 的 2N4351 產(chǎn)品。

  高漏極電流:最大漏極電流(ID)為 20mA。

  高跨導(dǎo)增益:跨導(dǎo)增益(gfs)為 1000μS。

  低導(dǎo)通電阻:漏極到源極導(dǎo)通電阻(rds(on))為 300Ω。

  低漏電流:漏極泄漏電流(IDSS)為 10nA。

  快速開關(guān)特性:

  開啟延遲時(shí)間(td(on)):最大 45ns。

  開啟上升時(shí)間(tr):最大 65ns。

  關(guān)閉延遲時(shí)間(td(off)):最大 60ns。

  關(guān)閉下降時(shí)間(tf):最大 100ns。

  絕對(duì)最大額定值(25°C 時(shí))

符號(hào)特性最小值典型值最大值單位條件
BVDSS漏極到源極擊穿電壓-25-VID = 10μA, VGS = 0V
VDS(on)漏極到源極導(dǎo)通電壓-1-VID = 2mA, VGS = 10V
VGS(th)柵極到源極閾值電壓1-5VVDS = 10V, ID = 10μA
IGSS柵極漏電流--±10pAVGS = ±30V, VDS = 0V
IDSS漏極泄漏電流(關(guān)閉狀態(tài))--10nAVDS = 10V, VGS = 0V
ID(on)漏極電流(導(dǎo)通狀態(tài))-3-mAVGS = 10V, VDS = 10V
gfs正向跨導(dǎo)增益-1000-μSVDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
rds(on)漏極到源極導(dǎo)通電阻-300-ΩVGS = 10V, ID = 100μA, f = 1kHz
Crss反向傳輸電容-1.3-pFVDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
Ciss輸入電容-5-pFVDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
Cdb漏極到體極電容-5-pFVDB = 10V, f = 140kHz


  溫度范圍:

  存儲(chǔ)溫度:-55°C 至 +150°C。

  工作結(jié)溫:-55°C 至 +150°C。

  最大功耗:

  連續(xù)功耗:350mW(環(huán)境溫度 25°C)。

  最大電流:

  漏極到源極電流:20mA。

  最大電壓:

  漏極到體極電壓:25V。

  漏極到源極電壓:25V。

  柵極到源極電壓:±30V。

  電氣特性(25°C 時(shí))

  封裝

  封裝類型:TO-72 4 引腳封裝。

  應(yīng)用場景

  2N4351 是一款高性能的 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET,適用于以下場景:

  開關(guān)電源:高效率的開關(guān)元件。

  信號(hào)處理電路:低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻信號(hào)處理。

  模擬開關(guān):低漏電流和高跨導(dǎo)增益使其適合高精度模擬電路。

  保護(hù)電路:快速開關(guān)特性可用于過流保護(hù)和短路保護(hù)。

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