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AIMBG120R040M1汽車級(jí)1200V碳化硅(SiC)溝槽功率MOSFET

發(fā)布于:2023-12-01 10:10:48

品牌名稱:Infineon英飛凌

重要參數(shù):

VDS:1200 V

RDS40 m?

封裝:PG-TO263-7

  • 產(chǎn)品詳情

SiC MOSFET采用英飛凌性能優(yōu)化芯片技術(shù)(Gen1p),具有一流的開(kāi)關(guān)性能、抗寄生導(dǎo)通的魯棒性以及改進(jìn)的RDSon和Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本使其成為車載充電器和DCDC應(yīng)用的理想選擇。


導(dǎo)通電阻:1200V PPOS

9mOhm:AIMBG120R010M1 

20mOhm:AIMBG120R020M1 

30mOhmAIMBG120R030M1 

40mOhm:AIMBG120R040M1 

60mOhm:AIMBG120R060M1 

80mOhm:AIMBG120R080M1 

120mOhm:AIMBG120R120M1 

160mOhm:AIMBG120R160M1



功能概要

革命性的半導(dǎo)體材料——碳化硅

極低的開(kāi)關(guān)損耗

無(wú)閾值導(dǎo)通狀態(tài)特性

0V 關(guān)斷柵極電壓

基準(zhǔn)柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V

完全可控的 dv/dt

換向穩(wěn)健體二極管,可進(jìn)行同步整流

與溫度無(wú)關(guān)的關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗

用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的檢測(cè)引腳

適用于高壓爬電距離要求

XT 互連技術(shù),實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

好處

效率提升

實(shí)現(xiàn)更高的頻率

提高功率密度

減少冷卻工作量

降低系統(tǒng)復(fù)雜性和成本

潛在應(yīng)用

車載充電器DC-DC轉(zhuǎn)換器電子保險(xiǎn)絲

電池?cái)嚅_(kāi)


參數(shù):

ParametricsAIMBG120R040M1
Ciss1264 pF
Coss63 pF
I(@25°C)   max54 A
Operating Temperature   min  max-55 °C   175 °C
Ptot (@ TA=25°C)   max268 W
PackageTO-263-7
PolarityN
QG43 nC
QualificationAutomotive
RDS (on) (@ Tj = 25°C)40 m?
RthJC   max0.56 K/W
VDS   max1200 V
VGSS, off0
VGSS, on20


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