- 產(chǎn)品詳情
| BLC10G22XS-400AVT | BLC10G22XS-551AVT | BLC10G22XS-551AVTZ |
| BLC10G22XS-602AVTZ |
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-400AVT：
400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2200 MHz的基站應(yīng)用。
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-551AVT：
550W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2100 MHz至2200 MHz的基站應(yīng)用。
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-602AVT：
600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2170 MHz的基站應(yīng)用。
特點和優(yōu)勢：
· 出色的堅固性
· 高效率
· 低熱阻，提供出色的熱穩(wěn)定性
· 更低的輸出電容，可提高 Doherty 應(yīng)用的性能
· 專為低記憶效應(yīng)而設(shè)計，提供出色的數(shù)字預(yù)失真能力
· 內(nèi)部匹配，易于使用
· 集成ESD保護(hù)
應(yīng)用：
射頻功率放大器，適用于2110 MHz至2200 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用。
