- 產(chǎn)品詳情
LA-MachXO汽車系列
LA-MachXO汽車器件系列經(jīng)過優(yōu)化，可滿足傳統(tǒng)上由cpld和低容量fpga解決的應(yīng)用需求:粘合邏輯、總線橋接、總線接口、上電控制和控制邏輯。這些器件在AEC-Q100測試和合格版本的單芯片上匯集了CPLD和FPGA器件的最佳功能。
該器件使用查找表(lut)和嵌入式塊存儲器，傳統(tǒng)上與fpga相關(guān)聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)靈活高效的邏輯實(shí)現(xiàn)。通過非易失性技術(shù)，這些器件提供了傳統(tǒng)cpld所具有的單芯片、高安全性和瞬時啟動功能。最后，先進(jìn)的工藝技術(shù)和精心的設(shè)計(jì)將提供與cpld相關(guān)的高引腳對引腳性能。
Lattice的ispLEVER?設(shè)計(jì)工具允許使用LAMachXO汽車系列設(shè)備有效地實(shí)施復(fù)雜的設(shè)計(jì)。流行的邏輯合成工具為LAMachXO提供了合成庫支持。ispLEVER工具使用綜合工具輸出及其平面圖工具的約束，在LA-MachXO設(shè)備中放置和布線設(shè)計(jì)。ispLEVER工具從路由中提取時間，并將其反向注釋為本設(shè)計(jì)進(jìn)行時序驗(yàn)證。
| Device | LAMXO256E/C | LAMXO640E/C | LAMXO1200E | LAMXO2280E |
| LUTS | 256 | 640 | 1200 | 2280 |
| Dist.RAM(Kbits | 2.0 | 6.0 | 6.25 | 7.5 |
| EBR SRAM (Kbits | 0 | 0 | 9.2 | 27.6 |
| Number of EBR SRAM Blocks (9 Kbits | 0 | 0 | 1 | 3 |
| Voc Voltage | 1.2/1.8/2.5/3.3V | 1.2/1.8/2.5/3.3V | 1.2 | 1.2 |
| Number of PLLs | 0 | 0 | 1 | 2 |
| Max.I/0 | 78 | 159 | 211 | 271 |
| Packages | ||||
| 100-pin Lead-Free TGFP(14x14 mm) | 78 | 74 | 73 | 73 |
| 144-pin Lead-Free TQFP (20x20 mm) | 113 | 113 | 113 | |
| 256-ball Lead-Free ftBGA (17x17 mm | 159 | 211 | 211 | |
| 324-ball Lead-Free ftBGA (19x19 mm | 271 | |||
訂購信息：
| Part Number | LUTs | Supply Voltage | l/Os | Grade | Package | Pins | Temp |
| LAMXO256C-3TN100E | 256 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 78 | -3 | Lead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640C-3TN100E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 74 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640C-3TN144E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO640C-3FTN256E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 159 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO256E-3TN100E | 256 | 1.2 V | 78 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640E-3TN100E | 640 | 1.2 V | 74 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640E-3TN144E | 640 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO640E-3FTN256E | 640 | 1.2 V | 159 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO1200E-3TN100E | 1200 | 1.2 V | 73 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO1200E-3TN144E | 1200 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO1200E-3FTN256E | 1200 | 1.2 V | 211 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO2280E-3TN100E | 2280 | 1.2 V | 73 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO2280E-3TN144E | 2280 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO2280E-3FTN256E | 2280 | 1.2V | 211 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO2280E-3FTN324E | 2280 | 1.2 V | 271 | -3 | ead-Free ftBGA | 324 | AUTO |
特性
·非易失性，無限可重構(gòu)
·立即啟動-在微秒內(nèi)啟動
·單芯片，不需要外部配置內(nèi)存
·卓越的設(shè)計(jì)安全性，無比特流攔截
·在毫秒內(nèi)重新配置基于SRAM的邏輯
·SRAM和非易失性存儲器可通過JTAG端口編程
·支持非易失性存儲器的后臺編程
·經(jīng)AEC-Q100測試合格
·睡眠模式
·允許高達(dá)100倍的靜態(tài)電流減少
·TransFR?Reconfiguration (TFR)
·系統(tǒng)運(yùn)行時現(xiàn)場邏輯更新
高I/O到邏輯密度
· 256 ~ 2280 lut4
· 73至271 I/ o與廣泛的包選項(xiàng)
· 支持密度遷移
· 無鉛/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的包裝
嵌入式和分布式內(nèi)存
高達(dá)27.6 Kbits的systemm?嵌入式塊RAM
高達(dá)7.5 Kbits的分布式RAM
·專用FIFO控制邏輯
靈活的I/O緩沖
可編程sysIO?緩沖器支持廣泛的接口:
·lvcmos 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
·LVTTL
·PCI
·LVDS, Bus-LVDS, LVPECL, RSDS
sysCLOCK?鎖相環(huán)
每個設(shè)備最多兩個模擬鎖相環(huán)
時鐘倍增、除法、移相
系統(tǒng)級支持
IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1邊界掃描
·板載振蕩器
設(shè)備工作在3.3 V, 2.5 V, 1.8V或1.2 V電源
符合IEEE 1532的系統(tǒng)編程
