Solitron 2N4338和2N4339 N溝道JFET
發(fā)布時(shí)間:2025-07-01 09:27:11 瀏覽:130
Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是專為低噪聲應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET),采用單晶硅工藝制造。這兩款器件在工業(yè)、軍事和航空航天領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,特別適合需要高可靠性、低噪聲和穩(wěn)定性能的電路設(shè)計(jì)。
參數(shù) | 2N4338 | 2N4339 | 單位 | 測(cè)試條件 |
漏極飽和電流(IDSS) | 0.2-0.6 | 0.5-1.5 | mA | VDS=15V, VGS=0V |
柵源截止電壓(VGS(OFF)) | <1.0 | <1.8 | V | VDS=15V, ID=50nA |
正向跨導(dǎo)(GFS) | 1200-2400 | 1600-3000 | μS | VDS=15V, VGS=0V, f=1kHz |
輸入電容(Ciss) | 5-7 | 5-7 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
反向傳輸電容(Crss) | 2.5-3.5 | 2.5-3.5 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):
超低噪聲系數(shù)(4.2 nV/√Hz典型值)
極低截止電壓(2N4338<1.0V,2N4339<1.8V)
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性(-55°C至+125°C)
高增益和良好的線性度
動(dòng)態(tài)特性
噪聲性能:2N4338在1kHz時(shí)噪聲系數(shù)低至4.2nV/√Hz,非常適合音頻前置放大應(yīng)用
頻率響應(yīng):功率增益帶寬積約50MHz(典型值)
開關(guān)速度:開啟延遲時(shí)間約10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)
封裝
TO-18金屬封裝:
3引腳圓形金屬外殼
尺寸:φ5.2mm×4.7mm(典型值)
重量:0.35g(典型值)
符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)
SOT-23塑料封裝:
3引腳表面貼裝
尺寸:2.9mm×1.6mm×1.0mm
適合高密度PCB設(shè)計(jì)
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