Q-Tech QT58x,QT59x,QTCH230,QTCH350,QTCH570高溫晶體振蕩器
發(fā)布時間:2025-05-27 09:01:00 瀏覽:925
1.超微型高溫晶體振蕩器(QTCH230、QTCH350、QTCH570)
頻率范圍:32.768kHz 至 48MHz。
穩(wěn)定性:±150ppm 至 ±250ppm。
溫度范圍:-55°C 至 200°C。
晶體安裝方式:2 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS。
供電電壓:1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。
封裝尺寸:
QTCH230:2.5mm x 3.2mm。
QTCH350:3.2mm x 5.0mm。
QTCH570:5.0mm x 7.0mm。
2.超低電流高溫晶體振蕩器(QT58x / QT59x)
頻率:32.768kHz
穩(wěn)定性:±150ppm 至 ±250ppm。
溫度范圍:-55°C 至 200°C。
最大電流:0.7mA。
供電電壓:2.5V、3.3V
晶體安裝方式:2 點或 4 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS
封裝類型:貼片式或通孔式
3. 高沖擊高溫晶體振蕩器
頻率范圍:1至 100MHz。
穩(wěn)定性:±175ppm 至 ±450ppm。
溫度范圍:-55°C 至 225°C。
抗沖擊性:標(biāo)準(zhǔn) 10,000G(半正弦波,0.1ms),可選 20,000G。
晶體安裝方式:2 點或 4 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS、TTL。
供電電壓:1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。
封裝類型尺寸:貼片式(5x7mm,7x9mm,9x14mm)或通孔式
應(yīng)用場景
嚴(yán)苛環(huán)境:井下設(shè)備(Downhole)、高溫(最高225°C)、高沖擊(如工業(yè)、航空航天)。
低功耗需求:遠(yuǎn)程傳感器或電池供電設(shè)備。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)代理銷售Q-TECH產(chǎn)品,備件現(xiàn)貨,歡迎與業(yè)界同行合作。
推薦資訊
MKP338 1 X1系列是一款X1等級的干擾抑制薄膜電容器,電容值范圍為0.01μF到1μF,公差可選±20%、±10%、±5%,額定交流電壓440V AC,頻率50-60Hz,直流電壓1000V DC。根據(jù)IEC 60068-1標(biāo)準(zhǔn),氣候測試等級分為50/105/56/C和50/105/56/B。引腳間距15-27.5mm,采用聚丙烯薄膜和金屬化薄膜,單層構(gòu)造,環(huán)氧樹脂密封,阻燃等級UL-class 94 V-0,適用于標(biāo)準(zhǔn)跨線X1應(yīng)用。
Infineon英飛凌的IRFG110是一款四路N溝道MOSFET,屬于JANTX2N7334和JANTXV2N7334系列。具有高可靠性、低靜態(tài)電流和良好的散熱能力。采用HEXFET技術(shù),實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高跨導(dǎo)相結(jié)合。適用于開關(guān)電源、電機控制等高可靠性應(yīng)用,采用THRU-HOLE封裝,電壓等級為100V,符合軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-19500/597。
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