Microchip 1N6461-1N6468系列:500W軍用級(jí)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)
發(fā)布時(shí)間:2025-02-27 09:29:14 瀏覽:299
Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 無(wú)空腔密封單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì),符合 MIL-PRF-19500/551 軍用標(biāo)準(zhǔn)。
Type | Minimum Breakdown Voltage1 V(Bey at I(aR) | Breakdown Current l(BR) | Rated Standoff Voltage VwM | Maximum Standby Current lp at VRwM | Maximum Clamping Voltage1 Vcat lpp | Maximum Peak Pulse Current1 lpp | Maximum Temp.Coef. of V(BR) Cv(BR) | |
at 8/20 μs | at 10/1000 μs | |||||||
V | mA | V(pk) | μA | V(pk) | A(pk) | A(pk) | %/℃ | |
1N6461 | 5.6 | 25 | 5 | 3000 | 9.0 | 315 | 56 | 0.03,+0.045 |
1N6462 | 6.5 | 20 | 6 | 2500 | 11.0 | 258 | 46 | +0.060 |
1N6463 | 13.6 | 5 | 12 | 500 | 22.6 | 125 | 22 | +0.085 |
1N6464 | 16.4 | 5 | 15 | 500 | 26.5 | 107 | 19 | +0.085 |
1N6465 | 27.0 | 2 | 24 | 50 | 41.4 | 69 | 12 | +0.096 |
1N6466 | 33.0 | 1 | 30.5 | 3 | 47.5 | 63 | 11 | +0.098 |
1N6467 | 43.7 | 1 | 40.3 | 2 | 63.5 | 45 | 8 | +0.101 |
1N6468 | 54.0 | 1 | 51.6 | 2 | 78.5 | 35 | 6 | +0.103 |
產(chǎn)品特點(diǎn)
高可靠性:
無(wú)空腔密封硬玻璃外殼,內(nèi)部采用“Category 1”冶金連接。
工作峰值電壓(VWM)范圍為 5.0 V 至 51.6 V。
峰值脈沖功率(PPP)為 500 W。
雙層鈍化保護(hù)。
符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等級(jí)。
電氣特性:
8/20 μs 波形下的峰值脈沖電流(IPP)范圍為 6 A 至 315 A。
10/1000 μs 波形下的鉗制電壓(VC)范圍為 9.0 V 至 78.5 V。
反向漏電流(ID)小于 3000 μA。
封裝形式:
提供軸向引腳封裝和表面貼裝 MELF 封裝。
封裝材料為硬玻璃,具有良好的密封性和耐久性。
環(huán)境適應(yīng)性:
工作溫度范圍為 -55°C 至 +175°C。
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)(僅商業(yè)級(jí))。
應(yīng)用場(chǎng)景
軍事和高可靠性應(yīng)用:適用于對(duì)可靠性要求極高的場(chǎng)景。
ESD 和 EFT 保護(hù):符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 標(biāo)準(zhǔn)。
防雷保護(hù):能夠抵御雷電引起的二次效應(yīng)。
工業(yè)應(yīng)用:如傳感器信號(hào)線、MOSFET 保護(hù)等。
Microsemi 是美國(guó)高可靠性電子元器件廠商,其軍級(jí)二三級(jí)管產(chǎn)品,被廣泛應(yīng)用于全球高端市場(chǎng),深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,授權(quán)代理銷售Microsemi軍級(jí)二三級(jí)產(chǎn)品,大量原裝現(xiàn)貨,歡迎咨詢。
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