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Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

發(fā)布時間:2025-01-28 10:18:55     瀏覽:523

 Ampleon CLF24H4LS300P300WGaN-SiC HEMT(高電子遷移率晶體管)功率晶體管,優(yōu)化了連續(xù)波(CW)功率和效率,適用于2400 MHz2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。

 Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

  特性和優(yōu)勢

  高效率:在CWCW脈沖條件下表現(xiàn)出色。

  優(yōu)秀的堅固性:在CWCW脈沖條件下具有出色的堅固性。

  寬帶操作:設(shè)計用于2400 MHz2500 MHz的寬帶操作。

  內(nèi)部輸入匹配:無需外部匹配網(wǎng)絡(luò)。

  符合RoHS合規(guī)性:產(chǎn)品符合限制有害物質(zhì)使用的法規(guī)要求。

  應(yīng)用

  RF功率放大器:適用于2400 MHz2500 MHz頻率范圍內(nèi)的連續(xù)波應(yīng)用,如商業(yè)和消費(fèi)烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。

  性能參數(shù)

  RF性能:在VDS = 50V,VGS = -5V,環(huán)境溫度25°C的類AB/C應(yīng)用電路中測試。

  連續(xù)波(CW):在24002500 MHz頻率下,輸出功率為320W,增益為14dB,效率為74%。

  CW脈沖:在24002500 MHz頻率下,輸出功率為350W,增益為14dB,效率為75%。

  封裝:SOT1214B:無耳法蘭陶瓷封裝,4引腳。

  限制值

  VDD:源極電壓操作,52V。

  VDS:漏極-源極電壓,150V。

  VGS:柵極-源極電壓,-15V+2V。

  IGF:正向柵極電流,43.2 mA。

  Tstg:存儲溫度,-65°C+150°C

  Tch:活動芯片通道溫度,225°C。

  熱特性

  Rth(s-c)(IR):紅外測量的從活性芯片表面到外殼的熱阻,0.40 K/W

  Rth(ch-c)(FEA):有限元分析的從活性芯片通道到外殼的熱阻,0.58 K/W。

  電氣特性

  VGS(th):柵極-源極閾值電壓,-3.12V-2.32V

  VGSq:柵極-源極靜態(tài)電壓,-3V-2.2V。

  ID(leak):漏極漏電流,7.55 mA。

  IGSS:柵極漏電流,1.51 mA。

  IDSX:漏極截止電流,22.4 A

  RF特性

  Gp:功率增益15 dB。

  RLin:輸入回波損耗-10 dB

  ηD:漏極效率70%。

  測試應(yīng)用信息

  測試電路:使用Rogers TC350 PCB,介電常數(shù)3.5,厚度0.508 mm,銅鍍層35 μm。

Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關(guān)、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線,適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個領(lǐng)域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線,歡迎咨詢了解。

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