IRLML6401TRPBF:12V單通道P溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-11-08 09:15:26 瀏覽:1106
IRLML6401TRPBF是由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用微型3(SOT-23)封裝,是專為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計的高效能半導(dǎo)體器件。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)特點和優(yōu)勢:
產(chǎn)品特點:
平面單元結(jié)構(gòu):提供寬廣的安全工作區(qū)域(SOA),增強(qiáng)了器件的可靠性和耐用性。
廣泛可用性:針對分銷合作伙伴優(yōu)化,確保了產(chǎn)品的可獲得性。
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證:按照電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)證,保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。
硅片優(yōu)化:特別優(yōu)化用于低于100kHz的開關(guān)應(yīng)用,確保了在低頻條件下的高性能。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝封裝,便于自動化裝配和設(shè)計替換。
產(chǎn)品優(yōu)勢:
增強(qiáng)的魯棒性:設(shè)計上注重提高器件的耐用性和可靠性。
廣泛的分銷網(wǎng)絡(luò):確保了產(chǎn)品的廣泛可獲得性。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證:提供了符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證水平。
低頻應(yīng)用中的高性能:在低頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
直接替換能力:標(biāo)準(zhǔn)的引腳排列允許直接替換其他兼容器件。
潛在應(yīng)用:
DC開關(guān):適用于直流電路中的開關(guān)控制。
負(fù)載開關(guān):用于控制電氣負(fù)載的開啟和關(guān)閉。
技術(shù)規(guī)格:
最大漏極電流(@25°C):-4.3 A
潮濕敏感度等級:1級
安裝類型:表面貼裝(SMD)
最大功耗(@TA=25°C):1.3 W
封裝類型:SOT-23
極性:P溝道
門極電荷(@4.5V):典型值10 nC
門極-漏極電荷:2.6 nC
導(dǎo)通電阻(@4.5V):最大50 mΩ
熱阻(JA):最大100 K/W
特色功能:小功率
最大結(jié)溫:150°C
最大漏源電壓:-12 V
門源電壓閾值:最小-0.55 V,最大-0.95 V至-0.4 V
門極電壓:最大8 V
IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特點,非常適合用于各種低功耗和低頻率的開關(guān)應(yīng)用,如電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
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VS-VSK.136/VS-VSK.142/VS-VSK.162晶閘管模塊,135 A至160 A(INT-A-PAK電源模塊)
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