Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-08-21 09:18:47 瀏覽:926
Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是單 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,這些器件設(shè)計(jì)用于快速切換電路和需要低漏源電阻的應(yīng)用。以下是這些 MOSFET 的詳細(xì)介紹:
特點(diǎn):
直接替代性:3N170 和 3N171 可以直接替換 INTERSIL 的同型號(hào)產(chǎn)品,方便用戶在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中進(jìn)行升級(jí)或替換。
低漏源電阻:r_ds(on) ≤ 200Ω,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較低,有助于減少功率損耗。
快速切換:t_d(on) ≤ 3.0ns,表明這些 MOSFET 能夠快速響應(yīng)開(kāi)關(guān)信號(hào),適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
絕對(duì)最大額定值(在 25°C,除非另有說(shuō)明):
存儲(chǔ)溫度:-65 至 +150 °C,表明這些器件可以在廣泛的溫度范圍內(nèi)存儲(chǔ)。
工作結(jié)溫:-55 至 +135 °C,說(shuō)明這些 MOSFET 可以在極端溫度下工作。
連續(xù)功率耗散:300mW,限制了器件在連續(xù)工作時(shí)的最大功率消耗。
最大電流(漏到源):30mA,限制了通過(guò)器件的最大電流。
最大電壓:
- 漏到柵:±35V
- 漏到源:25V
- 柵到源:±35V
電氣特性(在 25°C,V_sb = 0V):
SYMBOL | CHARACTERISTIC | MIN | TYP | MAX | UNITS | cONDITIONS | |
BVoss | Drain to Source Breakdown Voltage | 25 | V | o=10μA,Ves =0V | |||
Vosion | Drain to Source "On"Voltage | 2.0 | p=10mA,VGs =10V | ||||
Vosah | Gate to Source Threshold Voltage | 3N170 | 1.0 | 2.0 | Vos =10V,lo=10μA | ||
3N171 | 1.5 | 3.0 | |||||
css | Gate Leakage Current | 10 | pA | VGs =-35V,Vos =0V | |||
lpss | Drain Leakage Current "Off | 10 | nA | Vos =10V,VGs =0V | |||
oion | Drain Current "On" | 10 | mA | Vcs=10V,Vos=10V | |||
gs | Forward Transconductance | 1000 | μS | Vos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz | |||
ds(on | Drain to Source "On"Resistance | 200 | Q | VGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz | |||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | 1.3 | pF | Vos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz | |||
Ces | Input Capacitance | 5.0 | Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz | ||||
Cd | Drain to Body Capacitance | 5.0 | Voe =10V,f=1.0MHz |
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