Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-07-30 09:10:16 瀏覽:1580
IRF3205PBF是一款單N溝道功率MOSFET,屬于IR (現(xiàn)被Infineon收購)MOSFET系列,采用TO-220封裝,最大耐壓為55V。該器件采用成熟的硅工藝,為設(shè)計(jì)人員提供了廣泛的器件組合,以支持各種應(yīng)用,如直流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源(SMPS)、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于設(shè)計(jì)。
特征描述
平面單元結(jié)構(gòu):適用于寬安全工作區(qū)(SOA)。
廣泛可用性:針對(duì)分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進(jìn)行了優(yōu)化。
產(chǎn)品認(rèn)證:符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
硅優(yōu)化:針對(duì)開關(guān)頻率低于100kHz的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔功率套件。
高電流額定值。
優(yōu)勢
提高堅(jiān)固性。
廣泛可用性:來自分銷合作伙伴。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì)。
在低頻應(yīng)用中具有高性能。
標(biāo)準(zhǔn)引腳排列:允許直接替換。
高電流能力:最大電流ID (@25°C)為110A。
技術(shù)參數(shù)
封裝:TO-220。
極性:N溝道。
總柵極電荷(QG):典型值為97.3 nC(@10V)。
柵源電荷(Qgd):36 nC。
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):最大值為8 mΩ(@10V)。
熱阻(RthJC):最大值為1 K/W。
工作溫度:最小-55°C,最大175°C。
總功率耗散(Ptot):最大150W。
最大結(jié)溫(Tj):175°C。
最大漏源電壓(VDS):55V。
柵源電壓(VGS):最大20V。
閾值電壓(VGS(th)):最小3V,最大4V。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲(chǔ)存器產(chǎn)品,提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓,是全新的儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機(jī)制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
在線留言
A欧美一区欧美| 亚洲 欧美 自拍 一区 精品| 大香蕉久久午夜福利影院| 亚洲AV无码一区二区三区乱码j| 人妻蜜桃久久| 老熟女一区,二区,三区| 激情中文字幕国产精品视频| 日韩精品2019欧美 在线播放| 欧美激情视频综合| 欧美三区中文字幕在线观看| 天天爽天天捅天天干| 欧美精品一级区| 日韩亚在线观看| 日韩精品 中文字幕 国产剧情| 看黄色视影院2| 亚洲无码人妻漫画| 久久久精品女人高潮| 大又大粗又爽又黄少妇毛片| 日韩三级黄色av| 午夜性色天美1000| 精品国内久久久久久久久久| av免费人人干| 中文一级欧美大片做受| 99人妻共享| 国产精品91五月丁香| 亚洲成人大黄999| 美女黄色免费网站国产| 精品一区二区三区啊啊啊啊爽死了| 国产成 人综合 亚洲| 久久熟女狠狠操| 久久99久久一区二区| 欧美超碰精品| 全椒县| 国产精选99久| 日日操爱视频| 亚洲影院日韩| 台湾佬 婷婷】| 日韩无码久久三级电影| 麻豆91国产在线观看一区| 婷婷亚洲麻豆| 日韩美女一区二区三区香蕉视频|