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Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET

發(fā)布時間:2024-07-17 08:55:42     瀏覽:1937

  英飛凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的N溝道增強型MOSFET,隸屬于OptiMOS? 5系列。該器件通過了AEC-Q101認證,確保其在汽車環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。其主要特點包括極低的導通電阻(RDS(on))僅為1.2 mΩ,以及高達100 A的連續(xù)漏極電流(ID),使其非常適合高效率和高性能的汽車系統(tǒng)設(shè)計。

圖片8.png

  主要特點:

  N溝道增強型模式:適用于正常電平操作。

  AEC-Q101認證:確保汽車級質(zhì)量標準。

  低導通電阻:1.2 mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

  高連續(xù)漏極電流:100 A,支持高負載應(yīng)用。

  MSL1等級:適用于260°C的回流焊接。

  寬工作溫度范圍:-55°C到+175°C,適應(yīng)極端環(huán)境。

  環(huán)保:符合RoHS標準。

  100%壓敏測試:確保產(chǎn)品質(zhì)量。

  產(chǎn)品概要:

  漏源電壓(VDS):40 V

  最大導通電阻(RDS(on),max):1.2 mΩ

  連續(xù)漏極電流(ID):100 A

  封裝類型:

  封裝:PG-TDSON-8-34

  標識符:5N041R2

  最大額定值:

  持續(xù)漏極電流:100 A (在TC=25°C, VGS=10V時)

  脈沖漏極電流:400 A

  單次脈沖雪崩能量:480 mJ (在ID=50A時)

  漏源電壓:40 V

  柵源電壓:±20 V

  功耗:150 W (在TC=25℃時)

  工作及貯藏溫度:-55°C到+175°C

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。

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