Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-05-16 09:31:15 瀏覽:697
Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N溝道25V MOSFET,它采用了TrenchFET技術(shù),使得該MOSFET具有高效率和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。產(chǎn)品封裝為PowerPAK1212-8,并且適用于多種應(yīng)用,如適配器開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān),尤其是在高側(cè)開(kāi)關(guān)功能中表現(xiàn)優(yōu)異。
產(chǎn)品特性方面,SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V時(shí)的漏源電壓(VDs)為25V,具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),其值在不同Vgs條件下有所不同,例如在Vgs=10V時(shí)為0.0115Ω。此外,該MOSFET的柵極電荷(Qg Typ.)為16.9*100% Rg,柵極電流限制能力(Typ.)為16.9 A/μs,這些參數(shù)體現(xiàn)了其優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。
在絕對(duì)最大額定值方面,SIS626DN-T1-GE3在25°C下的連續(xù)漏極電流(ID)為15.1A,而在70°C下為11.7A。其脈沖漏極電流(IDM)可達(dá)32A,表明該MOSFET能夠處理較高的瞬態(tài)電流。此外,它還具有良好的熱性能,最大結(jié)到環(huán)境溫度的熱阻(RhJA)在典型和最大值下分別為28°C/W和34°C/W。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃,unless otherwise noted) | |||||||
PARAMETER | SYMBOL | LIMIT | UNIT | ||||
Drain-Source Voltage | VDs | 25 | V | ||||
Gate-Source Voltage | Vas | ±12 | |||||
Continuous Drain Current (Tj=150℃) | Tc=25℃ | lp | 169 | A | |||
Tc=70℃ | 169 | ||||||
TA=25℃ | 15.1 a,b | ||||||
TA=70*℃ | 11.7 a,b | ||||||
Pulsed Drain Current (t =100 μs | DM | 32 | |||||
Continuous Source-Drain Diode Current | Tc=25 ℃ | ls | 169 | ||||
TA=25℃ | 3.1 a,b | ||||||
Single Pulse Avalanche Current | L=0.1 mH | lAs | 20 | ||||
Single Pulse Avalanche Energy | EAS | 20 | mJ | ||||
Maximum Power Dissipation | Tc=25℃ | PD | 52 | W | |||
Tc=70℃ | 33 | ||||||
TA=25℃ | 3.7 a,b | ||||||
TA=70°℃ | 2.4 a,b | ||||||
Operating Junction and Storage Temperature Range | T」,Tst | -55 to +150 | ℃ | ||||
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d | 260 | ||||||
THERMAL RESISTANCE RATINGS | |||||||
PARAMETER | SYMBOL | TYPICAL | MAXIMUM | UNIT | |||
Maximum Junction-to-Ambient a,e | t≤10 s | JA | 28 | 34 | C/W | ||
Maximum Junction-to-Case (Drain) | Steady State | C | 2 | 2.4 |
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