国产精品一区二区黑人巨大,久久草草热国产精,老司机中文AV字幕,日本久久屄

2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems

發(fā)布時間:2024-04-29 09:28:46     瀏覽:656

  Linear Systems 2N/PN/SST4117系列單通道N溝道JFET放大器是針對高輸入阻抗應(yīng)用而設(shè)計的理想選擇。它的特點包括低功耗和小的電路加載量,使其適用于需要高性能放大器的場合。

Linear Systems 2N/PN/SST4117系列

  針對2N4117A型號,它的源極飽和電流(IDss)小于600微安,而柵極源極漏電流(lgss)在2N4117A系列中低于1皮安,這保證了低功耗和小的電路加載量。

  此外,該系列放大器在設(shè)計和性能上具有一些絕對最大額定值,需要在特定條件下測量并注意。該系列產(chǎn)品涵蓋了不同封裝形式下的尺寸和特性,如TO-72、TO-92和SOT-23。

  電氣特性方面,該系列放大器具有穩(wěn)定的柵極源極擊穿電壓(BVGss),在不同型號中保持了一致的性能范圍。此外,其柵極反向電流非常低,進一步體現(xiàn)了其高性能特點。

FEATURES
LOW    POWER                Ioss<600μA  (2N4117A)
MINIMUM CIRCUIT LOADING    less<1 pA (2N4117A Series)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 3)
@25°℃(unless otherwise noted)
Gate-Source or Gate-Drain Voltage40V
Gate-Current50mA
Total Device Dissipation
(Derate 2mWAC above 25℃)
300mW
Storage Temperature Range55°C to+150°℃
Lead Temperature
(1/16"from case for 10 seconds)
300℃

SYMBOLCHARACTERISTIC411741184119UNITS  CONDITIONS
MINMAXMINMAXMINMAX
BVgssGate Source Breakdown
Voltage
40
40
40
Vg =-1μA Vos=0
VgsGate-Source Cutoff Voltage0.6-1.8-1-32-6Vos =10V Io=1nA
lossSaturation Drain Current
( NOTE 2)
0.030.600.080.600.200.80mAVos =10V Ves=0
GSsGate Reverse Current
2N4117A,2N4118A,2N4119A
■■-1
-1
-1pAVcs =-20V Vos=0

-2.5
-2.5
-2.5nA150℃
PN4117,PN4118,PN4119
SST4117,SST4118,SST4119
■■-10
-10-10pAVos =-10V Vos=0

-25
-25m■-25nA1509℃
gisCommon-Source  Forward
Transconductance
7045080650100700μSVos =10V Vas=0f=1kHz
gosCommon-Source  Output
Conductance

3
510
CiCommon-Source Input
Capacitance (NOTE  4)

3
33pFf=1MHz
CrssCommon-Source  Reverse
Transfer Capacitance (NOTE 4)

1.5
1.5
1.5

相關(guān)推薦:

JFET雙通道放大器Linear Systems 

JFET單通道放大器Linear Systems 

立維創(chuàng)展優(yōu)勢代理Linear Systems產(chǎn)品,價格優(yōu)惠,歡迎咨詢。

推薦資訊

  • Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET
    Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

    3N190/3N191系列是雙P溝道增強型MOSFET,適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動器應(yīng)用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容,適合高速負(fù)載切換和模擬信號放大。與BJT相比,這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少,有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場合,并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。

  • DELTA HCME656510F電感器
    DELTA HCME656510F電感器 2024-12-24 09:10:31

在線留言

在線留言

一区二区三区富婆黄片| 天天射中文字幕av| 九九热这里只有精彩视频| 精品一区二区三区四区五| 日韩人妻后| 五月丁香婷婷在线免费| 国产欧美一区二区精品禽交| 亚欧洲免费在线观看| 久久久一日本精品网站| 人妻中出无码一区二区三区| 性感美女三级视频| 国产草B片| 久久国产日本免费| 日韩熟女诱惑| 口爆在线国内一区| 天天日液夜| 免费日本久久| 台湾佬视频一区| 操逼操逼美女插入| 欧美女优少妇的一天| 日本免费新一二区久久久| 好粗好爽毛片| 天天日天天天天操| 石原莉奈中文字幕在线观看一区| 诱咪视频第二区| 综合国产亚洲精品内射| 欧美精品啪啪地址| 欧美午夜福利院| 激情久久片| 色婷婷久久久婷婷久久久久婷婷无码| 久久黄色艹| 东北骚逼一区二区| 大鸡巴插进小穴视频免费观看| 一区二区三区不卡国产| 欧美永久激情在线| 国产女老师AV| 99re高清视频| 色久悠悠丁香五月| 激情五月AV片| 无码 肏 操| 免费看黄色片一区|