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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  CY9AFAA1NPF-G-SNE1微控制器Cypress 2024-06-26 09:06:47

  CY9AFAA1NPF-G-SNE1是一款基于32位ARM Cortex-M3內(nèi)核的微控制器，專為嵌入式控制器設(shè)計(jì)，具有低功耗和成本效益。它集成了高達(dá)20MHz的工作頻率，128K字節(jié)Flash存儲器和16K字節(jié)SRAM，以及多種外設(shè)，包括LCD控制器、電機(jī)控制定時器、ADCs、DACs和UART、CSIO、I2C通信接口。該微控制器支持多種串行接口，具有NViC中斷控制器和24位系統(tǒng)定時器。LCD控制器支持多種顯示模式，A/D轉(zhuǎn)換器具有16通道和優(yōu)先轉(zhuǎn)換功能，內(nèi)置FIFO用于數(shù)據(jù)存儲。