Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊
發(fā)布時間:2024-03-05 11:33:44 瀏覽:1349
Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產品,具有11 mΩ G1的極低電阻,集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術和預涂熱界面材料。
**特征描述**:
- 封裝高度為12mm,具備一流的封裝設計。
- 使用前沿的WBG材料(寬禁帶能帶材料)。
- 模塊內部的雜散電感很低,有助于提高性能。
- 采用增強型CoolSiC? MOSFET Gen 1技術。
- 擴大的柵極驅動電壓窗口。
- 柵源電壓范圍為+23 V 和 -10 V。
- 在高達175°C的過載條件下,具備出色的TVJOP(結溫鉗位)性能。
- 使用PressFIT壓接針進行連接。
- 集成了NTC溫度傳感器。
**優(yōu)勢**:
- 出色的組件效率,能夠提供高效的工作表現(xiàn)。
- 具備系統(tǒng)成本優(yōu)勢,可降低整體開銷。
- 提高系統(tǒng)效率,使系統(tǒng)更加節(jié)能。
- 降低冷卻要求,減少散熱需求。
- 支持實現(xiàn)更高的工作頻率。
- 提高功率密度,實現(xiàn)更小體積的設計。
**應用領域**:
- 不間斷電源(UPS)。
- 儲能系統(tǒng)。
- 電動汽車快速充電。
- 燃料電池DC/DC升壓轉換器。
- 太陽能系統(tǒng)解決方案。
參數(shù):
參數(shù) | FF11MR12W2M1HP_B11 |
---|---|
應用 | 儲能系統(tǒng) ; 電動汽車充電器 ; UPS不間斷電源 ; 太陽的 |
配置 | 半橋 |
尺寸(長度) | 62.8 毫米 |
尺寸(寬度) | 48 毫米 |
特征 | PressFIT ; TIM |
Housing | Easy 2B |
資格 | 工業(yè) |
RDS(開)(@ Tj = 25°C) | 10.8毫安 |
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