SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊
發(fā)布時間:2024-02-20 11:46:51 瀏覽:720
Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊,以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢,具有獨特的穩(wěn)健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度,同時通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低,從而實現(xiàn)簡單的電源總線。
SD11906/07/56/57 是半橋配置,具有兩個 1200V、低電阻DS(開)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管,與模塊內部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開,以簡化電路板布局。
該系列專為要求苛刻的應用而設計,例如基于航空電子設備的機電執(zhí)行器和功率轉換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C,結構包括銅基板和氮化鋁絕緣體,確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開和關閉階段需要的開關功率更高,所需的能量更少。結合高開關頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。
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