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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Lattice M4A5-32/32-10VNC CPLD可編程邏輯 2024-05-09 09:38:43

  Lattice公司的M4A5-32/32-10VNC是一款復(fù)雜可編程邏輯器件，具有32個(gè)宏單元和1250個(gè)系統(tǒng)門。支持100-125 MHz內(nèi)部頻率，電源電壓范圍4.75-5.25V，最高70°C運(yùn)行溫度。封裝為TQFP，44引腳。