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作為絕緣子供應(yīng)商，Smiths Interconnect|TRAK其核心理念之一是設(shè)計(jì)高性能負(fù)載、終端和衰減器。Smiths Interconnect|TRAK負(fù)載、終端和衰減器通常集成化在小功率和高功率絕緣子中，也可作為單獨(dú)器件供應(yīng)。

所有負(fù)載均根據(jù)企業(yè)提供的系統(tǒng)限制（峰值和平均功率、基材溫度等）精心策劃，并且通過熱和機(jī)械模擬，以保證在最壞的搭配效應(yīng)下，Smiths Interconnect|TRAK負(fù)載性能依然完美，并且具有平衡成本和批量的安全性能。

從DC到31Ghz，大部分適用于端接同軸環(huán)形器的第三端口，但我們還提供單獨(dú)的高性能封裝負(fù)載和轉(zhuǎn)接器，平均功率為300W。我公司的衰減器操控頻率可以達(dá)到10Ghz，并適用10W平均功率。

Smiths Interconnect|TRAK在產(chǎn)品內(nèi)部選用多種負(fù)載技術(shù)應(yīng)用，并在要求中標(biāo)識(shí)時(shí)采用負(fù)載技術(shù)應(yīng)用作為單獨(dú)產(chǎn)品。負(fù)載的選擇取決于許多因素，包括操控頻率、射頻功率和客戶偏好。同軸和帶狀線/微帶型應(yīng)用的典型負(fù)載類型包括電阻式、吸收式和組合型，Smiths Interconnect|TRAK可制造直流電阻值為零、50、10兆歐姆的射頻終端。

Hypertronics的負(fù)載和終端設(shè)計(jì)充分，首選供應(yīng)商Smiths Interconnect|EMC通過有限元分析優(yōu)化提供的超精確模型。

由于頻率和功率的相結(jié)合，終端或衰減器的選擇可能會(huì)變得復(fù)雜。通常情況下，隨著頻率的增多，難以解決更大的平均功率。Smiths Interconnect|TRAK推薦EMC鉆石射頻產(chǎn)品，其高品質(zhì)性能無與倫比。

Smiths Interconnect|TRAK高功率絕緣子的供應(yīng)擁有深厚的經(jīng)驗(yàn)。這些絕緣子具備集成芯片終端，操控頻率可以達(dá)到30GHz，采用各種芯片類型和尺寸，包括最新的CVD該終端特別適合在更高頻率下操控。

作為單獨(dú)器件，終端器可以提供20個(gè)操控頻率GHz該終端選用各種封裝，通常作為環(huán)形器的遠(yuǎn)程負(fù)載，或耦合器和機(jī)械開關(guān)。

應(yīng)用

小功率和高功率絕緣子。

單獨(dú)器件。

KoreaSat3項(xiàng)目

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