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MICRON DDR3 SDRAM

發(fā)布時間:2022-06-07 16:52:33     瀏覽:1084

MICRON DDR3 SDRAM比之前的DDRDDR2 SDRAM提供更多的帶寬。除了出色的性能外,DDR3還具備較低的工作頻率范圍。結(jié)果可以是更高帶寬的實施系統(tǒng),同時消耗相等或更少的系統(tǒng)功率。然而,根據(jù)數(shù)據(jù)規(guī)范確定系統(tǒng)應(yīng)用程序內(nèi)的功率并不總是簡單的。

要估算MICRON DDR3 SDRAM的功率,您必須了解設(shè)備的基本功能。DDR3設(shè)備的采用與DDR2類似。針對這兩種設(shè)備,DRAM的主要采用由時鐘啟動(CKE)控制。如果CKE低,則輸入緩沖區(qū)關(guān)閉。為了允許DRAM接收命令,CKE必須高以啟動輸入緩沖區(qū),并將命令/地址傳播到DRAM上的邏輯/解碼器。在正常采用期間,發(fā)送至DRAM的第一個命令通常是ACT命令。此命令選擇銀行和銀行地址。數(shù)據(jù)存儲在選擇行的模塊中,然后從陣列傳輸?shù)絺鞲蟹糯笃?/span>

MICRON (3).png

MICRON DDR3 SDRAM內(nèi)有八個不同的陣列組。每個存儲組都包括自己的一組檢測放大器,可以采用唯一的行地址獨立激活這些放大器。當一個或多個存儲組的數(shù)據(jù)存儲在傳感放大器中時,DRAM激活。數(shù)據(jù)保存在傳感放大器中,直到對同一組的預(yù)命令將數(shù)據(jù)恢復(fù)到陣列中的模塊。每個ACT命令必須有一個與之關(guān)聯(lián)的前置命令;也就是說,除非采用了所有預(yù)充電命令,否則ACTPRE命令成對出現(xiàn)。

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