DEI集成電路線路驅(qū)動(dòng)器DEI107xA系列
發(fā)布時(shí)間:2021-11-02 16:38:12 瀏覽:949
DEI集成電路DEI107xA系列是款8管腳雙極線路驅(qū)動(dòng)器,可直接驅(qū)動(dòng)ARINC429航空電子串行接口數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線。這些ARINC429線路驅(qū)動(dòng)器將TTL/CMOS串行接口輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為ARINC數(shù)據(jù)總線的“三電平RZ雙極差分調(diào)制形式”。DEI集成電路DEI107xA系列輸出壓擺率可選擇用作高速(100KBS)或低速(12.5KBS)進(jìn)行操作。無需外部結(jié)構(gòu)定時(shí)電容器。DEI107xA線路驅(qū)動(dòng)器系列是主流的DEI107x系列的改進(jìn)版本升級(jí)。它提供:
更低的功能損耗
優(yōu)異的波形保真度
提升瞬態(tài)抗擾度。這一改進(jìn)優(yōu)化了對(duì)于雷擊和射頻抗擾度規(guī)定要求的設(shè)備設(shè)計(jì)。
這個(gè)新的線路驅(qū)動(dòng)器系列為各種輸出電阻值和輸出三態(tài)工作能力提供了選擇。現(xiàn)有三種輸出電阻選擇:0Ohm、10Ohm和37Ohm。0歐姆和10歐姆版本升級(jí)需要外部結(jié)構(gòu)電阻器來完成ARINC429標(biāo)準(zhǔn)的37歐姆輸出電阻。外部結(jié)構(gòu)電阻通常用作優(yōu)化外部結(jié)構(gòu)瞬態(tài)電壓保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。1073/4/5版本升級(jí)的輸出具備三態(tài)工作能力。此功效在線對(duì)上有數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器的非標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中很實(shí)用。
特征
TTL/CMOS轉(zhuǎn)ARINC429線路驅(qū)動(dòng)器
用作Hi(100KBS)或Lo(12.5KBS)速率轉(zhuǎn)換率的HI/LO速率控制管腳
±9.5V至±16.5V開關(guān)電源
驅(qū)動(dòng)完整性的ARINC負(fù)載
輸出電阻選擇:0、10或37.5歐姆
三態(tài)輸出選擇
8管腳SOICN封裝,帶有用作增強(qiáng)熱的裸露焊盤(顯示為實(shí)際尺寸)
DEI1070A系列是主流的DEI1070系列的改進(jìn)版本升級(jí)
用HI8585和HI8586替換管腳的管腳
屬性
溫度范圍:-55到125
產(chǎn)品封裝類型:8SBDIP
頻道:1
開關(guān)電源范圍:+/-9.5至+/-16.5
到EOL的年數(shù):10
HoltX-Ref :HI-8585
輸出電阻:37.5
封裝描述:8針陶瓷側(cè)釬焊DIP
封裝類型:通孔
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Part # | Temp Range | Product Package Type | Output Resistance |
DEI1070A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 37.5 |
DEI1070A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 37.5 |
DEI1070A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1070A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1070A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1071A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 10 |
DEI1071A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 10 |
DEI1071A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1071A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1071A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1072A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 0 |
DEI1072A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 0 |
DEI1072A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 0 |
DEI1072A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 0 |
DEI1072A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 0 |
DEI1073A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 37.5 |
DEI1073A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 37.5 |
DEI1073A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1073A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1073A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 37.5 |
DEI1074A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 10 |
DEI1074A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 10 |
DEI1074A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1074A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1074A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 10 |
DEI1075A-DMB | -55 to 125 | 8 SB DIP | 0 |
DEI1075A-DMS | -55 to 125 | 8 SB DIP | 0 |
DEI1075A-SES-G | -55 to 85 | 8 EP SOIC G | 0 |
DEI1075A-SMB-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 0 |
DEI1075A-SMS-G | -55 to 125 | 8 EP SOIC G | 0 |
推薦資訊
BF998E6327HTSA1是英飛凌硅N溝道MOSFET射頻放大器,專為射頻環(huán)境設(shè)計(jì),適用于放大和切換電子信號(hào)。其最大功耗200 mW、工作溫度范圍-55 °C至150 °C、最大頻率1000 MHz,應(yīng)用領(lǐng)域包括機(jī)頂盒、電視和車載收音機(jī)。電氣參數(shù)包括門輸入電容2.1 pF、輸出電容1.1 pF、正向跨導(dǎo)24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大連續(xù)漏電流30 mA、最大漏源電壓12 V、噪聲系數(shù)1.80 dB @ 800 MHz、總功耗200 mW。封裝類型為SOT143。
在電子產(chǎn)品的研發(fā)與設(shè)計(jì)中,經(jīng)常需要查找和了解各種芯片的參數(shù)、價(jià)格、供貨情況等關(guān)鍵信息。然而,對(duì)于一些較為生僻或?qū)I(yè)的芯片類型,我們往往難以直接獲取所需信息。為此,我特地整理了20個(gè)快速查詢芯片的網(wǎng)站,希望能夠?yàn)榇蠹以谛酒x型時(shí)提供便利。
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