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MICRON DDR4 內(nèi)存

發(fā)布時(shí)間：2021-06-04 17:07:48 瀏覽：1111

MICRON DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

MICRON DDR4是DRAM的下一代演進(jìn)，提供更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更強(qiáng)大的控制功能模塊，與此同時(shí)提高企業(yè)、微型服務(wù)器、平板電腦和超薄客戶端應(yīng)用領(lǐng)域的環(huán)保節(jié)能性。

微型DDR4內(nèi)存特點(diǎn)：

寬度：x4、X8，x16；

電流電壓：1.2V；

封裝：FBGA、TFBGA；

時(shí)鐘頻率：1200MHz、1333MHz、1600MHz；

工作溫度：0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃；

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。

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