MICRON DDR3 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2021-03-17 17:13:30 瀏覽:1285
MICRON DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質(zhì)的性能指標(biāo),MICRON DDR3有一個(gè)較低的工作頻率范圍。結(jié)果顯示可能是應(yīng)用領(lǐng)域更高的傳輸速率來(lái)執(zhí)行系統(tǒng),與此同時(shí)消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)設(shè)計(jì)構(gòu)思的版圖具備獨(dú)特的內(nèi)存需求,因而選擇正確的內(nèi)存設(shè)計(jì)方法對(duì)工程項(xiàng)目的成功尤為重要。雖然DDR3 SDRAM是用作模塊的,但它能夠很容易地適應(yīng)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。DDR3由DDR2演變而來(lái)。MICRON DDR3點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)相似于DDR2點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),兩者之間需要相似的設(shè)計(jì)原理。然而,考慮到DDR3信令更為核心,DDR3點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)需要重點(diǎn)改進(jìn)數(shù)據(jù)總線信令。
規(guī)格
寬X8,x16
工作電壓1.35v,1.5V
封裝形式FBGA
時(shí)鐘頻率933MHz,1066MHz
工作溫度0C至+95C,-40C至+95C,-40C至+105C,-40C至+125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。
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